IRF530 N-قناة MOSFET الترانزستور

28.00 جنية

رمز المنتج: T_IRF530 التصنيف:
يشارك:

IRF530 is an N-channel MOSFET designed for high-speed and high-power applications. It is compatible to sustain 14 A of continuous current with 100 V voltage. In pulse mode, it can drive a load up to 56 A. In this series, there are other transistors available with slightly different specifications like IRF531, IRF532, and IRF533.

The user can operate this MOSFET by the output of ICs and microcontrollers because it is designed to operate with a low gate driving current. This MOSFET can operate in the temperature range of -55˚C to 175 ˚C. It is more popular in industries due to its low cost and ruggedized design. It also features low-on-state resistance and fast switching.

For long-life performance, all components use at least 20% below their maximum limit. The maximum operating current of IRF530 is 14 A. وبالتالي، من أجل حياة أفضل، يجب أن يعمل بتيار 11.2 أمبير وجهد تحميل أقل من 80 فولت.

 

وصف Pinout IRF530

رقم الدبوس اسم الدبوس دبوس الوصف
1 بوابة السيطرة على انحياز MOSFET
2 بالُوعَة التدفقات الحالية من خلال الصرف
3 مصدر التدفقات الحالية من خلال المصدر

 

الميزات والمواصفات

  • تصنيف ديناميكي dv/dt
  • التبديل السريع
  • سهولة الموازاة
  • مطلوب دائرة محرك بسيطة
  • تصنيف الانهيار الجليدي المتكرر
  • الحد الأقصى لجهد التصريف إلى المصدر Vس: 100 فولت
  • الحد الأقصى لتيار التصريف المستمر Iد: 14 أ
  • تيار تصريف النبض: 56A
  • الحد الأقصى لتبديد الطاقة: 88 واط
  • الحد الأقصى لجهد البوابة إلى المصدر: ± 20 فولت
  • ذروة استرداد الصمام الثنائي dv/dt: 5.5 فولت/ns
  • المقاومة على الدولة: 0.16Ω
  • إجمالي رسوم البوابة Qز: 26 ن ج
  • نطاق التشغيل ودرجة حرارة التخزين: -55 درجة مئوية إلى 175 درجة مئوية
  • الحزمة: TO-220AB
  • قطبية الترانزستور: قناة N

 

ما يعادل IRF530

IRF641، IRF642، IRFB4620، IRFB5620، IRFI530G، IRFS530، BUZ20

 

ملحوظة: المزيد من المواصفات الفنية يمكن العثور عليها في ورقة بيانات IRF530 المرفقة في نهاية هذه الصفحة.

 

خصائص التبديل

تشغيل وقت التأخير راِتَّشَح): 10ns

Rise time tص: 34ns

Turn-off delay time tد (إيقاف): 23ns

Fall time tF: 24 نانو ثانية

 

عمل IRF530 N-channel MOSFET

Here we will use IRF530 to run a DC motor. In this circuit diagram, a variable resistance is used to control the speed of the DC motor. A DC motor is connected between the drain and source terminals of IRF530. This simulation is done in proteus. With help of variable resistance, we can set the resistance between gate to drain.

The speed of the motor is proportional to the current that passes through the motor (the drain-to-source current or drain current passes through the motor). As the resistance increases, drain current and speed decrease. Similarly, as the resistance decreases, drain current increases and speed also increases.

 

التطبيقات

  • نظام إدارة البطارية وشواحن البطاريات
  • محركات السيارات
  • تطبيقات إمدادات الطاقة الشمسية
  • يو بي إس
  • محولات DC-DC و DC-AC
  • المنظمين
  • مضخم الصوت
  • برامج تشغيل الملف اللولبي والتتابع

 

نموذج ثنائي الأبعاد والأبعاد

إذا كنت تقوم بتصميم PCB أو لوحة Perf باستخدام هذا المكون، فإن الصورة التالية من ورقة بيانات IRF530 ستكون مفيدة لمعرفة نوع الحزمة وأبعادها.

IRF530 Dimensions

ورقة بيانات المكونورقة بيانات IRF530 MOSFET
 

 

مقاس
يكتب
عربة التسوق
تسجيل الدخول


لا يوجد حساب بعد؟

إنشاء حساب
اقدر اخدمك ازي يا فندم ؟
مسح الرمز