وفر -33% FQPF12N60C 600V N-Channel Power MOSFET – 12A (High-Efficiency Switching)

FQPF12N60C 600V N-Channel Power MOSFET – 12A (High-Efficiency Switching)

السعر الأصلي هو: 30.00 EGP.السعر الحالي هو: 20.00 EGP.

FQPF12N60C is a 600V 12A N-Channel MOSFET with fast switching, low gate charge (typ. 48 nC), and RDS(on) 0.65Ω @ VGS=10V—ideal for SMPS, Active PFC, and half-bridge lamp ballast designs.

FQPF12N60C هو 600V 12A N-Channel MOSFET يتميز بتبديل سريع وQg منخفضة (typ. 48 nC) وRDS(on) 0.65Ω @ VGS=10V، مناسب لتطبيقات SMPS وActive PFC ودوائر half-bridge.

 

SKU T_FQPF12n60c SKU SYS X8886 التوفر متوفر
تأكيد الكميات بيتم بعد مراجعة الأوردر، وتجهيز وشحن الطلب بيستغرق عادة من 3 إلى 5 أيام عمل. توافر المنتج على الموقع لا يعني بالضرورة توافره داخل الفرع، لذلك اعمل الأوردر مسبقًا لتأكيد الكمية وتجهيزه.
تحتاج مساعدة؟ تواصل معنا
☎ محتاج مساعدة؟ اتصل بنا 0104 453 9059
Add to wishlist
مشاركة
شحن سريع توصيل لجميع محافظات مصر
طرق دفع مرنة دفع عند الاستلام ودفع أونلاين
تأكيد الكمية يتم تأكيد الكمية بعد مراجعة الأوردر
دعم فني مساعدة في اختيار القطع المناسبة
الوسوم
12A MOSFET 12N60 600V MOSFET Active PFC Avalanche Tested DMOS Dv/dt Rugged Fast مفتاحing FQP12N60C FQPF12N60C Half قنطرة مصباح Ballast منخفض Crss منخفض بوابة Charge موسفت MOSFET Transistors N-Channel MOSFET طاقة إلكترونيات Power MOSFET Transistor Qg 48nC RDS(on) 0.65 Ohm SMPS TO-220F ترانزستور

الوصف

FQPF12N60C 600V N-Channel Power MOSFET – 12A (High-Efficiency Switching)

The FQPF12N60C is a high-voltage N-Channel enhancement mode power MOSFET designed for efficient and reliable high-speed switching. Built using Fairchild’s proprietary planar stripe DMOS technology, it is engineered to minimize RDS(on), improve switching behavior, and withstand high-energy stress during avalanche and commutation events.

With a 600V drain-source rating and a 12A current capability, the device is well suited for power designs that demand stable performance and efficiency. Its low gate charge supports easier gate driving and reduced switching losses, while the improved dv/dt capability enhances ruggedness in demanding switching environments.

This MOSFET is commonly used in high-efficiency SMPS, Active PFC stages, and electronic lamp ballast circuits based on half-bridge topology.

Key Features

  • 12A, 600V power MOSFET
  • RDS(on) = 0.65Ω @ VGS = 10V
  • Low gate charge: Qg (typ.) 48 nC
  • Low Crss: (typ.) 21 pF
  • Fast switching performance
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability
  • RoHS compliant

Typical Applications

  • High-efficiency Switch Mode Power Supplies (SMPS)
  • Active Power Factor Correction (Active PFC)
  • Half-bridge electronic lamp ballasts
  • High-voltage switching and power conversion stages

FQPF12N60C ترانزستور 600V N-Channel MOSFET – 12A للتبديل عالي الكفاءة

القطعة FQPF12N60C هي N-Channel enhancement mode power MOSFET مخصصة لدوائر الجهد العالي التي تتطلب تبديلًا سريعًا وكفاءة تشغيل مرتفعة. يتم تصنيعها باستخدام تقنية Fairchild المتقدمة planar stripe DMOS، والتي تم تطويرها لتقليل RDS(on) وتحسين أداء التبديل، مع القدرة على تحمّل النبضات العالية في وضع avalanche وأثناء عمليات التحويل والتبديل.

تدعم هذه القطعة جهدًا يصل إلى 600V مع تيار حتى 12A، وتتميز بـ Qg منخفضة مما يساعد على تقليل فاقد التبديل وتسهيل قيادة البوابة. كما أن تحسين dv/dt capability يجعلها أكثر تحمّلًا في دوائر التبديل السريع والبيئات الصناعية.

تُستخدم غالبًا في مزودات الطاقة عالية الكفاءة SMPS، ودوائر Active PFC، ودوائر بالاست إلكترونية للمصابيح المعتمدة على تصميم half-bridge.

أهم المميزات

  • يعمل حتى 12A وبجهد 600V
  • RDS(on) = 0.65Ω @ VGS = 10V
  • Qg منخفضة (قيمة نموذجية 48 nC)
  • Crss منخفضة (قيمة نموذجية 21 pF)
  • أداء fast switching
  • تم اختباره بالكامل 100% avalanche tested
  • تحمّل أفضل لتغيرات الجهد السريعة improved dv/dt capability
  • مطابق لمعيار RoHS

الاستخدامات الشائعة

  • مزودات طاقة عالية الكفاءة SMPS
  • دوائر تصحيح معامل القدرة Active PFC
  • بالاست إلكترونية للمصابيح بتصميم half-bridge
  • مراحل تحويل القدرة والتبديل بجهد عالي

 

التقييمات

  1. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:17″}

  2. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-25 12:01:02″}

  3. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-25 12:11:14″}

  4. Mazin (#9820) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-25 12:36:54″}

  5. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_FQPF12n60c”,”new”:”FQPF12N60C high-voltage N-channel power MOSFET”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”FQP12N60C \/ FQPF12N60C <\/span><\/strong>600V N-Channel MOSFET<\/span><\/strong>\r\nFeatures\r\n• 12A, 600V, RDS(on) = 0.65Ω @VGS = 10 V\r\n• Low gate charge ( typical 48 nC)\r\n• Low Crss ( typical 21pF)\r\n• Fast switching\r\n• 100% avalanche tested\r\n• Improved dv\/dt capability\r\n• RoHS compliant\r\nDescription\r\nThese N-Channel enhancement mode power field effect\r\ntransistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar\r\nstripe, DMOS technology.\r\nThis advanced technology has been especially tailored to\r\nminimize on-state resistance, provide superior switching\r\nperformance, and withstand high energy pulse in the avalanche\r\nand commutation mode. These devices are well suited for high\r\nefficient switched mode power supplies, active power factor\r\ncorrection, electronic lamp ballast based on half bridge\r\ntopology.”},”meta:_thumbnail_id”:{“old”:””,”new”:”216175″},”terms:product_cat”:{“old”:[15],”new”:[441]}}},”time”:”2026-02-25 12:36:54″}

  6. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-25 12:36:58″}

  7. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:03:08″}

يمكن فقط للعملاء الذين اشتروا هذا المنتج إضافة تقييم.

منتجات مرتبطة

منتجات مشابهة