IRF5305 P-Channel Power MOSFET Transistor IC (TO-220) 55V 31A 0.6Ω

السعر الأصلي هو: 35.00 EGP.السعر الحالي هو: 25.00 EGP.

IRF5305 P-Channel Power MOSFET Transistor IC (TO-220) 55V 31A 0.6Ω

  1. Package/Case: TO-220
  2. Transistor Polarity: P-Channel
  3. Number of Channels: 1 Channel
  4. Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 55V
  5. Id – Continuous Drain Current: 31 A
  6. Rds On – Drain-Source Resistance: 0.6 Ohms
  7. Vgs – Gate-Source Voltage: – 20 V, + 20 V
SKU T_IRF5305 P-Ch 31A SKU SYS X6821 التوفر متوفر
تأكيد الكميات بيتم بعد مراجعة الأوردر، وتجهيز وشحن الطلب بيستغرق عادة من 3 إلى 5 أيام عمل. توافر المنتج على الموقع لا يعني بالضرورة توافره داخل الفرع، لذلك اعمل الأوردر مسبقًا لتأكيد الكمية وتجهيزه.
تحتاج مساعدة؟ تواصل معنا
مشاركة
شحن سريع توصيل لجميع محافظات مصر
طرق دفع مرنة دفع عند الاستلام ودفع أونلاين
تأكيد الكمية يتم تأكيد الكمية بعد مراجعة الأوردر
دعم فني مساعدة في اختيار القطع المناسبة

الوصف

IRF5305 P-Channel Power MOSFET Transistor IC (TO-220) 55V 31A 0.6Ω

IRF5305 fifth generation HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Features:-

• Advanced process technology

• Dynamic dv/dt rating

• Fast switching

• Fully avalanche rated

Detailed Specifications:-

Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (Vds)-55V
Continuous Drain Current (Id)-31A
Drain-Source Resistance (Rds On)60mOhms
Gate-Source Voltage (Vgs)20V
Gate Charge (Qg)63 nC
Operating Temperature Range-55 – 175°C
Power Dissipation (Pd)110W

Related Documents

pdf IRF5305 MOSFET Datasheet 

* Product Images are shown for illustrative purposes only and may differ from actual product.

 

منتجات مرتبطة

منتجات مشابهة