Save -33% Out of stock JCS7N60F 600V 7A N-Channel Power MOSFET – High-Voltage Switching, TO-220MF

JCS7N60F 600V 7A N-Channel Power MOSFET – High-Voltage Switching, TO-220MF

Name: Buy JCS7N60F 600V 7A N-Channel Power MOSFET – High-Voltage Switching, TO-220MF Online in Egypt – 20.00 EGP | Micro Ohm Electronics
SKU: T_jcs7N60
Price: 20.00 EGP
Availability: InStock

JCS7N60F is a 600V N-Channel power MOSFET rated for 7A in TO-220MF package, with RDS(on) up to 1.2Ω, Qg 54nC, and stable high-voltage switching performance for SMPS and inverter stages.

JCS7N60F موسفت قدرة قناة N بجهد 600 فولت وتيار 7 أمبير في باكيدج TO-220MF، بمقاومة تشغيل حتى 1.2 أوم وشحنة بوابة 54 نانو كولوم، مناسب لمراحل التبديل في SMPS والإنفرترات.

SKU T_jcs7N60 SKU SYS X8890 Availability In stock

Quantities are confirmed after reviewing your order. Orders are normally prepared and shipped within 3–5 business days. Online availability does not necessarily mean the product is currently available at the branch. تأكيد الكميات بيتم بعد مراجعة الأوردر، وتجهيز وشحن الطلب بيستغرق عادة من 3 إلى 5 أيام عمل. توافر المنتج على الموقع لا يعني بالضرورة توافره داخل الفرع، لذلك اعمل الأوردر مسبقًا لتأكيد الكمية وتجهيزه.

☎ Need help? Call us 0104 453 9059

Add to wishlist

Fast shipping Delivery across Egypt

Flexible payment Cash and online options

Quantity confirmation Confirmed after order review

Technical support Help choosing compatible parts

Description

JCS7N60F 600V 7A N-Channel Power MOSFET – High-Voltage Switching, TO-220MF

The JCS7N60F is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for robust switching in power conversion and high-energy control circuits. Rated at 600V (VDS) with up to 7A continuous drain current (ID), it is a dependable choice for high-voltage switching stages where electrical stability, thermal endurance, and consistent performance are required.

This device delivers a practical balance between switching behavior and conduction efficiency. With RDS(on) up to 1.2Ω, it helps manage conduction losses in many real-world designs, while its total gate charge (Qg = 54nC) supports stable gate-drive requirements commonly found in SMPS and inverter topologies. The MOSFET also offers predictable dynamic performance with 80ns rise time and 115pF output capacitance (Coss), which can help reduce switching stress when paired with a suitable driver and layout.

Housed in a TO-220MF package, the JCS7N60F is convenient for installation and heatsink mounting, making it suitable for power supplies, converters, inverters, and industrial switching stages operating under varying load and temperature conditions.

Key Features

High-voltage rating: up to 600V (VDS)
Continuous drain current: up to 7A (ID)
On-resistance: RDS(on) up to 1.2Ω
Gate threshold: VGS(th) up to 4V
Moderate gate charge: Qg = 54nC
Fast switching response: tr = 80ns
Output capacitance: Coss = 115pF
Rugged design: suitable for high-voltage power stages
Package: TO-220MF for easy mounting and cooling

Absolute Maximum Ratings

VDS: 600V
VGS: ±30V
ID: 7A
PD: 48W
TJ: 150°C

Typical Applications

Switching power supplies (SMPS)
High-voltage converters & inverters
Motor drive and control circuits
Industrial high-voltage switching stages

Replacement / Substitution Notes

When choosing an alternative part, ensure:

VDS ≥ 600V
ID ≥ 7A
RDS(on) equal or lower (for better efficiency)
Similar Qg / switching speed (driver compatibility)
Matching package & pinout (TO-220MF)

JCS7N60F موسفت قدرة قناة N – 600 فولت 7 أمبير – للتبديل عالي الجهد (TO-220MF)

يُعد JCS7N60F ترانزستور MOSFET قدرة قناة N مخصصًا للتبديل داخل دوائر القدرة وتحويل الطاقة التي تعمل بجهود مرتفعة. يتحمل حتى 600 فولت بين المصرف والمصدر (VDS) مع تيار مصرف مستمر يصل إلى 7 أمبير (ID)، لذلك يُستخدم بكفاءة في مراحل التبديل عالية الجهد التي تتطلب ثباتًا كهربائيًا، وتحملًا حراريًا جيدًا، وأداءً موثوقًا تحت ظروف تشغيل متغيرة.

يقدم هذا الموسفت توازنًا عمليًا بين كفاءة التوصيل وسلوك التبديل. تساعد قيمة مقاومة التشغيل RDS(on) حتى 1.2 أوم على تقليل فاقد التوصيل في كثير من التطبيقات الواقعية، بينما تتيح شحنة بوابة كلية Qg = 54 نانو كولوم متطلبات قيادة بوابة مستقرة في تصميمات مزودات الطاقة SMPS والإنفرترات. كما يتمتع بأداء ديناميكي متوقع مع زمن صعود 80 نانو ثانية وسعة خرج 115 بيكو فاراد (Coss)، وهو ما يساعد على تقليل إجهاد التبديل عند استخدام درايفر مناسب وتصميم PCB جيد.

يأتي JCS7N60F في باكيدج TO-220MF لتسهيل التركيب وإمكانية التثبيت على مشتت حراري، ما يجعله مناسبًا لمزودات الطاقة والمحولات والإنفرترات وتطبيقات التبديل الصناعية ذات الجهد العالي.

المميزات الرئيسية

تحمل جهد عالي: حتى 600 فولت (VDS)
تيار مصرف مستمر: حتى 7 أمبير (ID)
مقاومة تشغيل: حتى 1.2 أوم (RDS(on))
جهد عتبة البوابة: حتى 4 فولت (VGS(th))
شحنة بوابة متوسطة: 54 نانو كولوم
تبديل سريع عملي: زمن صعود 80 نانو ثانية
سعة خرج: 115 بيكو فاراد
تصميم قوي: مناسب لمراحل القدرة عالية الجهد
الباكدج: TO-220MF سهل التركيب والتبريد

الحدود القصوى (Absolute Maximum Ratings)

VDS: 600 فولت
VGS: ±30 فولت
ID: 7 أمبير
PD: 48 وات
TJ: 150°م

الاستخدامات الشائعة

مزودات الطاقة التبديلية (SMPS)
محولات الجهد العالي والإنفرترات
دوائر تشغيل وتحكم المحركات
مراحل التبديل الصناعية عالية الجهد

ملاحظات الاستبدال

عند اختيار بديل مناسب تأكد من:

VDS لا يقل عن 600 فولت
ID لا يقل عن 7 أمبير
RDS(on) مساوية أو أقل لتحسين الكفاءة
تشابه Qg وسرعة التبديل لتوافق الدرايفر
تطابق الباكدج وترتيب الأرجل (TO-220MF)

Reviews

Admin1 (#289) – February 17, 2026
{“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:18″}
Mazin (#9820) – February 24, 2026
{“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 13:29:57″}
Mazin (#9820) – February 24, 2026
{“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 13:36:22″}
Mazin (#9820) – February 24, 2026
{“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_jcs7N60″,”new”:”15N60 Power MOSFET 15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”
\r\n
15N60 Power MOSFET 15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET<\/h2>\r\n
\r\n\r\nType Designator: JCS7N60F<\/span> 📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n
Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 48 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 7 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n
Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 54 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 80 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 115 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.2 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: TO-220MF<\/a>\r\n\r\n<\/div>\r\n
JCS7N60F datasheet<\/div>\r\n<\/div>\r\n
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf<\/a> $\"pdf_icon\"$ \r\n\r\n $\"JCS7N60F\"$ <\/a>\r\n\r\n<\/div>“},”meta:_thumbnail_id”:{“old”:””,”new”:”216077″}}},”time”:”2026-02-24 13:36:22″}
Mazin (#9820) – February 24, 2026
{“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:content”:{“old”:”
\r\n
15N60 Power MOSFET 15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET<\/h2>\r\n
\r\n\r\nType Designator: JCS7N60F<\/span> 📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n
Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 48 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 7 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n
Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 54 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 80 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 115 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.2 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: TO-220MF<\/a>\r\n\r\n<\/div>\r\n
JCS7N60F datasheet<\/div>\r\n<\/div>\r\n
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf<\/a> $\"pdf_icon\"$ \r\n\r\n $\"JCS7N60F\"$ <\/a>\r\n\r\n<\/div>“,”new”:”
\r\n
15N60 Power MOSFET 15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET<\/h2>\r\n
\r\n\r\nType Designator: JCS7N60F<\/span> 📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n
Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 48 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 7 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n
Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 54 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 80 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 115 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.2 Ohm <\/a>\r\n\r\nPackage: TO-220MF<\/a>\r\n\r\n<\/div>\r\n
JCS7N60F datasheet<\/div>\r\n<\/div>\r\n
\r\n\r\n jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf<\/a> $\"pdf_icon\"$ \r\n\r\n $\"JCS7N60F\"$ <\/a>\r\n\r\n<\/div>“},”terms:product_cat”:{“old”:[15],”new”:[441]}}},”time”:”2026-02-24 13:36:48″}
Mazin (#9820) – February 25, 2026
{“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:[]},”time”:”2026-02-25 12:21:53″}
Admin1 (#289) – February 27, 2026
{“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:17:00″}