
FQPF15N60 N-Channel Power MOSFET Transistor 600V 15A
FQPF15N60 N-Channel Power MOSFET (600V, 15A) for high-voltage switching in SMPS, DC-DC converters, inverters, and motor drives, featuring RDS(on) up to 0.5Ω and PD up to 312W with proper heatsinking.
موسفت قدرة بقناة إن بجهد 600 فولت وتيار 15 أمبير مناسب لمزودات الطاقة التبديلية والعواكس ودوائر قيادة المحركات، مع مقاومة توصيل حتى 0.5 أوم وقدرة تبديد عالية عند استخدام تبريد مناسب.
- Description
- Reviews (0)
Description
FQPF15N60 N-Channel Power MOSFET Transistor 600V 15A
The FQPF15N60 (often referred to as 15N60) is a high-voltage N-Channel Power MOSFET engineered for power conversion and switching applications that demand strong voltage margin and reliable current handling. With a 600V drain-source rating (VDS) and 15A continuous drain current (ID), it is commonly used in high-voltage switching stages where efficiency and thermal stability are critical.
This MOSFET helps improve converter efficiency thanks to its low on-state resistance, with RDS(on) up to 0.5Ω, reducing conduction losses compared to many standard high-voltage devices in similar classes. It is also designed for robust thermal operation, offering high power dissipation capability up to 312W (with appropriate heatsinking and thermal conditions) and a maximum junction temperature of 150°C, which supports dependable operation in industrial and power-supply environments.
For switching performance, the FQPF15N60 has a gate threshold voltage up to 4V (VGS(th)), a total gate charge (Qg) of 270nC, and rise time up to 200ns. These parameters should be considered when selecting a gate driver and switching frequency, especially in higher-power SMPS or inverter designs. The output capacitance (Coss) is 270pF, which also influences switching losses and EMI behavior in fast-switching topologies.
Key Features (Quick View)
- High voltage MOSFET: 600V VDS
- High continuous current: 15A ID
- Low on-resistance: RDS(on) up to 0.5Ω
- Strong thermal capability: PD up to 312W (with proper cooling)
- Reliable operation at elevated temperature: TJ max 150°C
- Suitable for high-voltage switching & power conversion
Absolute Maximum Ratings
- VDS: 600V
- VGS: ±30V
- ID: 15A
- PD: 312W
- TJ: 150°C
Electrical Characteristics
- VGS(th): up to 4V
- Qg: 270nC
- tr: up to 200ns
- Coss: 270pF
- RDS(on): up to 0.5Ω
Typical Applications
- Switching power supplies (SMPS)
- High-voltage DC-DC converters
- Inverters and power conversion stages
- Motor drives and industrial control
- High-voltage switching circuits
Replacement / Substitution Notes
When choosing a compatible replacement, select a MOSFET with:
- VDS ≥ 600V
- ID ≥ 15A
- Similar or lower RDS(on) and comparable Qg
- Matching package and pinout according to your PCB/heatsink design
موسفت قدرة قناة إن 600 فولت 15 أمبير (FQPF15N60)
إف كيو بي إف 15 إن 60 (FQPF15N60) المعروف أيضًا باسم 15N60 هو موسفت قدرة بقناة إن مخصص لتطبيقات التبديل والتحويل عالي الجهد في إلكترونيات القدرة. يتحمل جهدًا حتى 600 فولت بين المصرف والمصدر، مع تيار مستمر حتى 15 أمبير، لذلك يُستخدم بكثرة في مراحل القدرة التي تتطلب كفاءة عالية واعتمادية وثباتًا حراريًا جيدًا.
يساعد هذا الموسفت على تقليل الفقد أثناء التوصيل بفضل مقاومة توصيل منخفضة حيث تصل مقاومة التوصيل حتى 0.5 أوم كحد أقصى، وهو ما يساهم في رفع كفاءة دوائر التحويل. كما يدعم التشغيل القاسي حراريًا بفضل قدرة تبديد عالية تصل إلى 312 وات عند توفير تبريد مناسب، بالإضافة إلى أقصى حرارة للوصلة 150 درجة مئوية، مما يجعله مناسبًا للبيئات الصناعية ومزودات الطاقة عالية الجهد.
من ناحية التبديل، يصل جهد عتبة البوابة إلى 4 فولت كحد أقصى، وتبلغ شحنة البوابة الكلية 270 نانوكولوم، ويصل زمن الصعود إلى 200 نانوثانية. هذه القيم مهمة عند اختيار درايفر البوابة وتحديد تردد التبديل. كما أن سعة الخرج 270 بيكوفاراد تؤثر على الفقد أثناء التبديل وعلى التداخل الكهرومغناطيسي في الدوائر السريعة.
أهم المميزات
- تحمل جهد عالي: 600 فولت
- تيار مستمر عالي: 15 أمبير
- مقاومة توصيل منخفضة: حتى 0.5 أوم
- مناسب لمراحل التبديل والتحويل عالي الجهد
- قدرة تبديد عالية مع تبريد مناسب: حتى 312 وات
- تشغيل موثوق حتى 150 درجة مئوية كحد أقصى لحرارة الوصلة
الحدود القصوى
- جهد المصرف إلى المصدر: 600 فولت
- جهد البوابة إلى المصدر: 30 فولت
- تيار المصرف: 15 أمبير
- قدرة التبديد: 312 وات
- أقصى حرارة للوصلة: 150 درجة مئوية
الخصائص الكهربائية
- جهد عتبة البوابة: حتى 4 فولت
- شحنة البوابة الكلية: 270 نانوكولوم
- زمن الصعود: حتى 200 نانوثانية
- سعة الخرج: 270 بيكوفاراد
- مقاومة التوصيل: حتى 0.5 أوم
الاستخدامات الشائعة
- مزودات الطاقة التبديلية
- محولات تيار مستمر عالية الجهد
- العواكس ومراحل تحويل القدرة
- دوائر قيادة المحركات والتحكم الصناعي
- دوائر التبديل عالية الجهد
ملاحظات الاستبدال
لاختيار بديل مناسب، يُفضّل أن يكون:
- جهد المصرف إلى المصدر 600 فولت أو أعلى
- تيار المصرف 15 أمبير أو أعلى
- مقاومة توصيل مساوية أو أقل مع شحنة بوابة قريبة
- نفس العبوة ونفس ترتيب الأرجل وفق تصميم اللوحة والمشتت
Reviews
Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.
Related Products
MJE13005 Silicon NPN Transistor 400V 4A 75W
IRF840 N-Channel Power Mosfet Transistor 8A 500V 0.85Ω TO-220
IRF3205 high current N-Channel MOSFET Transistor
IRF540N N-Channel MOSFET TRANSISTOR 100V 0.044Ω 33A TO-220
FQP50N06 LOGIC N-Channel Power MOSFET Transistor
L7815CV – STMicroelectronics 15V Linear Voltage Regulator (1.5A, TO-220)
UTC 5N50 N-channel power MOSFET Transistor
IRF1407 N-Channel Power MOSFET Transistor (130A-75V-7.8mΩ) TO-220
Products With Similar Tags
20N60 N-Channel MOSFET Transistor 600V 20A (TO-3P / TO-247)
HOPSON MC-7200 – 72V 3A Scooter Battery Charger (EU Plug, 3‑Pin DC Output) for 20Ah Packs
FQPF10N50C High-Voltage N-channel Power MOSFET Transistor
G60N60UFD Power IGBT Transistor 600V 60A
UTC 5N50 N-channel power MOSFET Transistor
FQPF2N60 N-Channel Power MOSFET Transistor 600V 1.6A (TO-220F)
IRFP360 – 400V 23A N-Channel Power MOSFET Transistor
FQPF4N60 600V N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) – TO-220F
G40N60UFD IGBT Transistor – 600V 40A IGBT with Ultra-Fast Diode

Admin1 (#289) –
{“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:18″}
Mazin (#9820) –
{“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 13:17:47″}
Mazin (#9820) –
{“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 13:27:17″}
Mazin (#9820) –
{“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_FQPF15N60″,”new”:”FQPF15N60 300V 15A N Channel Power MOSFET TO-220F”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”
15N60<\/h2>\r\n\r\n\r\nType Designator: 15N60<\/span> 📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n
Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 312 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 15 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n
Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 270 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 200 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 270 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.5 Ohm\r\n\r\n<\/div>\r\n\r\n<\/div>\r\n<\/div>\r\n<\/div>\r\n
15N60 datasheet<\/h2>\r\n 15n60.pdf<\/a>
\r\n\r\n
<\/a>\r\n\r\n<\/div>“},”meta:_thumbnail_id”:{“old”:””,”new”:”216071″},”terms:product_cat”:{“old”:[15],”new”:[15,438]}}},”time”:”2026-02-24 13:27:17″}
Mazin (#9820) –
{“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:[]},”time”:”2026-02-25 12:21:39″}
Admin1 (#289) –
{“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:19:26″}