SSP4N60 N-Channel Power MOSFET 600V 4A TO-220

SSP4N60 N-Channel Power MOSFET 600V 4A TO-220

15.00 EGP

SSP4N60 N-Channel Power MOSFET (600V, 4A) in TO-220, suitable for high-voltage switching in SMPS, converters, and inverter stages. Features 75W dissipation, 25nC gate charge, and up to 2.5Ω RDS(on).

موسفت قدرة بقناة إن بجهد 600 فولت وتيار 4 أمبير في عبوة تي أو 220 مناسب لدوائر التبديل عالية الجهد مثل مزودات الطاقة التبديلية والمحولات، مع قدرة تبديد 75 وات وشحنة بوابة 25 نانوكولوم.

SKU T_SSP4n60 SKU SYS X8877 Availability In stock
Quantities are confirmed after reviewing your order. Orders are normally prepared and shipped within 3–5 business days. Online availability does not necessarily mean the product is currently available at the branch.
تحتاج مساعدة؟ تواصل معنا
☎ Need help? Call us 0104 453 9059
Add to wishlist
Share
Fast shipping Delivery across Egypt
Flexible payment Cash and online options
Quantity confirmation Confirmed after order review
Technical support Help choosing compatible parts
Tags
4A MOSFET 600V MOSFET DC-DC Converter High Voltage Switch Inverter MOSFET N-Channel MOSFET Power Electronics Power MOSFET PWM Switching SMPS SSP4N60 TO-220

Description

SSP4N60 N-Channel Power MOSFET 600V 4A TO-220

The SSP4N60 is a high-voltage N-Channel Power MOSFET designed for efficient switching in power electronics. With a 600V drain-source rating and up to 4A continuous drain current, it’s a solid choice for offline SMPS stages, DC-DC converters, and general high-voltage switching applications.

This MOSFET comes in a TO-220 package that supports practical heat-sinking for higher power operation. It features a maximum power dissipation of 75W (with proper thermal conditions) and a maximum junction temperature of 150°C, making it suitable for demanding designs.

For gate drive and switching behavior, the device offers a total gate charge (Qg) of 25nC, supporting reasonable switching speed and driver requirements. The rise time is up to 150ns, while the output capacitance (Coss) is 40pF, helping reduce switching losses in many high-voltage converter topologies. The gate threshold voltage (VGS(th)) is up to 4.5V, and the MOSFET is rated for ±20V gate-source voltage (VGS).

On the conduction side, the maximum RDS(on) is 2.5Ω, which is typical for 600V MOSFETs in this current class and should be considered when estimating conduction losses at your operating current and temperature.

Key Specs (Quick View)

  • Type: N-Channel Power MOSFET
  • VDS: 600V
  • ID: 4A
  • PD: 75W
  • VGS: ±20V
  • Tj: 150°C
  • VGS(th): up to 4.5V
  • RDS(on): up to 2.5Ω
  • Qg: 25nC
  • tr: up to 150ns
  • Coss: 40pF
  • Package: TO-220

موسفت قدرة قناة إن 600 فولت 4 أمبير عبوة تي أو 220 (SSP4N60)

إس إس بي 4 إن 60 (SSP4N60) هو ترانزستور قدرة من نوع موسفت بقناة إن، مخصص لتطبيقات التبديل عالي الجهد في دوائر إلكترونيات القدرة. يتميز بقدرة تحمل جهد حتى 600 فولت بين المصرف والمصدر، مع تيار مصرف أقصى 4 أمبير، مما يجعله مناسبًا لدوائر مزوّدات الطاقة التبديلية، ومحولات التيار، ومراحل التبديل في كثير من تطبيقات القدرة.

يأتي هذا الموسفت في عبوة تي أو 220 المناسبة للتركيب مع مشتت حراري عند الحاجة، ويدعم قدرة تبديد تصل إلى 75 وات وفق شروط التبريد المناسبة. كما أن أقصى درجة حرارة للوصلة الداخلية 150 درجة مئوية لتوافق ظروف التشغيل القاسية نسبيًا في تطبيقات القدرة.

من ناحية قيادة البوابة وسلوك التبديل، يمتلك شحنة بوابة كلية 25 نانوكولوم لتوازن جيد بين سرعة التبديل ومتطلبات دائرة القيادة. كذلك يصل زمن الصعود إلى 150 نانوثانية كحد أقصى، وتبلغ سعة الخرج 40 بيكوفاراد بما يساعد على تحسين أداء التبديل في كثير من الدوائر عالية الجهد. كما أن جهد عتبة البوابة يصل إلى 4.5 فولت كحد أقصى، مع تحمل جهد بين البوابة والمصدر حتى 20 فولت.

أما في حالة التوصيل، فإن مقاومة التوصيل بين المصرف والمصدر تصل إلى 2.5 أوم كحد أقصى، وهي قيمة شائعة ضمن فئة موسفت 600 فولت بهذا التيار، ويُفضَّل مراعاتها عند حساب الفقد الحراري أثناء التشغيل.

ملخص 

  • النوع: موسفت قدرة بقناة إن
  • جهد المصرف إلى المصدر: 600 فولت
  • تيار المصرف: 4 أمبير
  • قدرة التبديد: 75 وات
  • جهد البوابة إلى المصدر: 20 فولت
  • أقصى حرارة للوصلة: 150 درجة مئوية
  • جهد عتبة البوابة: حتى 4.5 فولت
  • مقاومة التوصيل: حتى 2.5 أوم
  • شحنة البوابة الكلية: 25 نانوكولوم
  • زمن الصعود: حتى 150 نانوثانية
  • سعة الخرج: 40 بيكوفاراد
  • العبوة: تي أو 220

Reviews

  1. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:14″}

  2. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 11:32:11″}

  3. Mazin (#9820) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 12:06:26″}

  4. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_SSP4n60″,”new”:”SSP4N60 MOSFET N-Channel”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”

    SSP4N60<\/h2>\r\n

    \r\n\r\nType Designator: SSP4N60<\/span>  📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n

    Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 75 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 20 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 4 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n

    Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4.5 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 25 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 150 max nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 40 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 2.5 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: TO220<\/a>\r\n

    SSP4N60 datasheet<\/h2>\r\nssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf<\/a> \"pdf_icon\"\r\n\r\n<\/div>“}}},”time”:”2026-02-24 12:06:26″}

  5. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 12:06:30″}

  6. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:content”:{“old”:”

    SSP4N60<\/h2>\r\n

    \r\n\r\nType Designator: SSP4N60<\/span>  📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n

    Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 75 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 20 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 4 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n

    Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4.5 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 25 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 150 max nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 40 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 2.5 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: TO220<\/a>\r\n

    SSP4N60 datasheet<\/h2>\r\nssp4n55 ssp4n60 ssh4n55 ssh4n60.pdf<\/a> \"pdf_icon\"\r\n\r\n<\/div>“,”new”:”

    SSP4N60<\/h2>\r\n

  7. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:[]},”time”:”2026-02-25 12:16:31″}

  8. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:28:12″}

Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.

Related Products

Products With Similar Tags