SPS03N60C3 (03N60C3) CoolMOS N-Channel Power MOSFET – 600V 3.2A (TO-251 / PG-TO251-3-11)

SPS03N60C3 (03N60C3) CoolMOS N-Channel Power MOSFET – 600V 3.2A (TO-251 / PG-TO251-3-11)

20.00 EGP

SPS03N60C3 (03N60C3) CoolMOS N-Channel MOSFET rated for 600V and 3.2A, featuring ultra-low gate charge and fast switching in a compact TO-251 package—ideal for high-voltage switching and power supply stages.

موسفت قدرة قناة إن بتقنية كول موس بجهد ٦٠٠ فولت وتيار ٣٫٢ أمبير، يتميز بشحنة بوابة منخفضة وتبديل سريع داخل تغليف تي أو ٢٥١، مناسب لمراحل التبديل في مزودات الطاقة ودوائر الجهد العالي.

 

SKU T_3n60 SKU SYS X8889 Availability In stock
Quantities are confirmed after reviewing your order. Orders are normally prepared and shipped within 3–5 business days. Online availability does not necessarily mean the product is currently available at the branch. تأكيد الكميات بيتم بعد مراجعة الأوردر، وتجهيز وشحن الطلب بيستغرق عادة من 3 إلى 5 أيام عمل. توافر المنتج على الموقع لا يعني بالضرورة توافره داخل الفرع، لذلك اعمل الأوردر مسبقًا لتأكيد الكمية وتجهيزه.
تحتاج مساعدة؟ تواصل معنا
☎ Need help? Call us 0104 453 9059
Add to wishlist
Share
Fast shipping Delivery across Egypt
Flexible payment Cash and online options
Quantity confirmation Confirmed after order review
Technical support Help choosing compatible parts
Tags
03N60C3 3.2A MOSFET 600V MOSFET Avalanche Rated CoolMOS Dv/dt Rugged Fast Switching High Voltage Switching Low Gate Charge MOSFET N-Channel MOSFET PG-TO251-3-11 Power Supply MOSFET SPS03N60C3 TO-251

Description

SPS03N60C3 (03N60C3) CoolMOS N-Channel Power MOSFET – 600V 3.2A (TO-251 / PG-TO251-3-11)

The SPS03N60C3, commonly marked as 03N60C3, is a high-voltage CoolMOS N-Channel power MOSFET designed for efficient switching in compact power designs. It is optimized for fast switching performance with ultra-low gate charge, helping reduce switching losses and easing the requirements on gate driver circuits.

With a drain-source voltage rating up to 600V (and noted in some specifications as 650V at maximum junction temperature) and a continuous drain current of 3.2A, this MOSFET is a practical choice for high-voltage switching stages in power supplies, auxiliary converters, and similar applications. Its periodic avalanche capability and extreme dv/dt ruggedness support reliable operation under demanding transient conditions.

The device comes in a compact TO-251 (PG-TO251-3-11) package, making it suitable for space-efficient layouts while maintaining stable thermal and electrical performance.

Key Features

  • CoolMOS high-voltage technology
  • Ultra-low gate charge (Qg) for efficient drive and reduced switching loss
  • Very fast switching behavior (low rise time)
  • Periodic avalanche rated for better robustness
  • Extreme dv/dt rated for improved reliability in fast switching stages
  • High peak current capability
  • Improved transconductance for stable control

Absolute Maximum Ratings

ParameterValue
Drain-Source Voltage (VDS)600 V (some specs mention 650 V at TJ max)
Gate-Source Voltage (VGS)±20 V
Drain Current (ID)3.2 A
Power Dissipation (PD)38 W
Max Junction Temperature (TJ)150°C

Electrical Characteristics

ParameterValue
Gate Threshold Voltage (VGS(th))up to 3.9 V
Total Gate Charge (Qg)13 nC
Rise Time (tr)3 ns
Output Capacitance (Coss)150 pF
RDS(on)up to 1.4 Ω

Package & Marking

  • Package: TO-251 / PG-TO251-3-11
  • Marking Code: 03N60C3
  • Type: N-Channel MOSFET

ترانزستور قدرة موسفت قناة إن (كول موس) إس بي إس ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ – ٦٠٠ فولت ٣٫٢ أمبير (تي أو ٢٥١)

القطعة إس بي إس ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ والمعروفة بكود الطباعة ٠٣ إن ٦٠ سي ٣ هي موسفت قدرة قناة إن بتقنية كول موس مخصصة لدوائر التبديل ذات الجهد العالي مع كفاءة مرتفعة. تم تصميمها لتقديم أداء تبديل سريع مع شحنة بوابة منخفضة جدًا، مما يقلل فاقد التبديل ويسهّل قيادة البوابة في الدوائر العملية.

تدعم هذه القطعة جهدًا حتى ٦٠٠ فولت (ويُذكر في بعض المواصفات ٦٥٠ فولت عند أقصى حرارة للوصلة) مع تيار تشغيل مستمر يصل إلى ٣٫٢ أمبير، لذلك فهي مناسبة لمراحل التبديل في مزودات الطاقة، وحدات التحويل المساعدة، ودوائر التحكم ذات الجهد العالي. كما تتميز بقدرة تحمّل جيدة للنبضات والارتفاعات المفاجئة بفضل تصنيف الانهيار الدوري ومقاومة عالية لتغير الجهد السريع.

وتأتي في تغليف تي أو ٢٥١ المدمج، ما يجعلها مناسبة للتصميمات الصغيرة مع الحفاظ على استقرار الأداء الكهربائي والحراري.

أهم المميزات

  • تقنية كول موس للجهود العالية
  • شحنة بوابة منخفضة جدًا لتحسين الكفاءة وتقليل الفاقد
  • تبديل سريع جدًا
  • تحمّل جيد للنبضات والارتفاعات المفاجئة (انهيار دوري)
  • مقاومة عالية لتغير الجهد السريع
  • قدرة تيار لحظي مرتفعة
  • تحكم أفضل بفضل تحسّن معامل النقل

الحدود القصوى

البندالقيمة
جهد المصرف إلى المصدر٦٠٠ فولت (وقد يُذكر ٦٥٠ فولت عند أقصى حرارة)
جهد البوابة إلى المصدر±٢٠ فولت
تيار المصرف٣٫٢ أمبير
القدرة القصوى للتبديد٣٨ وات
أقصى حرارة للوصلة١٥٠ درجة

الخصائص الكهربائية

البندالقيمة
جهد عتبة البوابةحتى ٣٫٩ فولت
شحنة البوابة الكلية١٣ نانوكولوم
زمن الصعود٣ نانوثانية
سعة الخرج١٥٠ بيكوفاراد
مقاومة التشغيلحتى ١٫٤ أوم

التغليف والكود

  • التغليف: تي أو ٢٥١
  • كود الطباعة: ٠٣ إن ٦٠ سي ٣
  • النوع: موسفت قناة إن

Reviews

  1. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:18″}

  2. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 12:16:20″}

  3. Mazin (#9820) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 12:35:23″}

  4. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_3n60″,”new”:”03N60C3 Cool MOS Power Transistor”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”

    \r\n

    \r\n

    03N60C3 Cool MOS Power Transistor<\/h2>\r\n

    \r\n\r\nType Designator: SPS03N60C3<\/span>  📄📄 <\/span>\r\n\r\nMarking Code: 03N60C3\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n

    Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 38 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 20 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 3.2 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n

    Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 3.9 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 13 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 3 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 150 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 1.4 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: TO251-SL\r\n\r\n<\/div>\r\n<\/div>\r\n

    SPS03N60C3 datasheet<\/h2>\r\n

     sps03n60c3.pdf<\/a> \"pdf_icon\" \r\n\r\n\"SPS03N60C3\"<\/a>\r\n\r\nSPS03N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A Ultra low gate charge PG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv\/dt rated High peak current capability Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3 Maximum Ratings\r\n\r\n<\/div>\r\n<\/div>\r\n

    <\/div>“},”meta:_thumbnail_id”:{“old”:””,”new”:”216067″},”terms:product_cat”:{“old”:[15],”new”:[438]}}},”time”:”2026-02-24 12:35:23″}

  5. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 12:35:27″}

  6. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:[]},”time”:”2026-02-25 12:16:55″}

  7. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:23:44″}

Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.

Related Products

Products With Similar Tags