Save -40% STB21NM60N (B21NM60N) N-Channel Power MOSFET 600V 17A D2PAK

STB21NM60N (B21NM60N) N-Channel Power MOSFET 600V 17A D2PAK

Original price was: 50.00 EGP.Current price is: 30.00 EGP.

STB21NM60N (B21NM60N) N-Channel Power MOSFET (600V, 17A) in D2PAK, optimized for high-power switching such as SMPS and PFC, featuring fast 15ns rise time and low RDS(on) up to 0.22Ω.

موسفت قدرة بقناة إن بجهد 600 فولت وتيار 17 أمبير في عبوة دي تو باك مناسب لدوائر القدرة مثل مزودات الطاقة التبديلية وتصحيح معامل القدرة، مع زمن صعود سريع 15 نانوثانية ومقاومة توصيل منخفضة حتى 0.22 أوم.

SKU T_B21NM60N SMD SKU SYS X8891 Availability In stock
Quantities are confirmed after reviewing your order. Orders are normally prepared and shipped within 3–5 business days. Online availability does not necessarily mean the product is currently available at the branch.
تحتاج مساعدة؟ تواصل معنا
☎ Need help? Call us 0104 453 9059
Add to wishlist
Share
Fast shipping Delivery across Egypt
Flexible payment Cash and online options
Quantity confirmation Confirmed after order review
Technical support Help choosing compatible parts
Tags
17A MOSFET 600V MOSFET B21NM60N D2PAK High Power MOSFET High Voltage Switching Inverter MOSFET Motor Drive N-Channel MOSFET PFC Power Electronics Power MOSFET SMD MOSFET SMPS STB21NM60N

Description

STB21NM60N (B21NM60N) N-Channel Power MOSFET 600V 17A D2PAK

The STB21NM60N, commonly marked as B21NM60N, is a high-voltage N-Channel Power MOSFET designed for demanding power switching applications. With a 600V drain-source rating (VDS) and up to 17A drain current (ID), it’s well-suited for high-power SMPS stages, PFC circuits, inverter sections, motor drives, and other high-voltage conversion designs that require strong current handling.

Built in a D2PAK (surface-mount) package, this MOSFET supports efficient thermal transfer to the PCB copper area, enabling robust power dissipation when properly laid out. It offers up to 140W maximum power dissipation under suitable thermal conditions and is rated for a maximum junction temperature of 150°C, making it reliable for heavy-duty operation.

For switching behavior, the device provides a fast rise time of up to 15ns, supporting high-efficiency switching topologies when paired with an appropriate gate driver. The total gate charge (Qg) is 66nC, which should be considered when selecting the gate driver strength and switching frequency. The output capacitance (Coss) is 110pF, impacting switching losses and EMI performance in high-voltage designs.

In conduction mode, the MOSFET features a low maximum RDS(on) of 0.22Ω, helping reduce conduction losses compared with many standard 600V MOSFETs—especially useful in higher-current paths. The gate threshold voltage (VGS(th)) is up to 4V, and the device supports up to ±25V gate-source voltage (VGS).

Key Specs (Quick View)

  • Type: N-Channel Power MOSFET
  • VDS: 600V
  • ID: 17A
  • PD: 140W
  • VGS: ±25V
  • Tj: 150°C
  • VGS(th): up to 4V
  • RDS(on): up to 0.22Ω
  • Qg: 66nC
  • tr: up to 15ns
  • Coss: 110pF
  • Package: D2PAK

موسفت قدرة قناة إن 600 فولت 17 أمبير عبوة دي تو باك (STB21NM60N / B21NM60N)

إس تي بي 21 إن إم 60 إن (STB21NM60N) والموسوم غالبًا بكود B21NM60N هو موسفت قدرة بقناة إن عالي الجهد مخصص لتطبيقات التبديل الشاقة في إلكترونيات القدرة. يتحمل جهدًا حتى 600 فولت بين المصرف والمصدر، ويصل تيار المصرف إلى 17 أمبير، ما يجعله مناسبًا لمراحل القدرة في مزودات الطاقة التبديلية عالية القدرة، ودوائر تصحيح معامل القدرة، وأقسام العواكس، وبعض تطبيقات قيادة المحركات والتحويل عالي الجهد.

يأتي هذا الموسفت في عبوة دي تو باك المناسبة للتركيب السطحي، وتُساعد على نقل الحرارة بكفاءة إلى مساحة النحاس في اللوحة عند التصميم الحراري الجيد. يدعم قدرة تبديد قصوى 140 وات وفق ظروف التبريد والتصميم المناسبة، مع أقصى حرارة للوصلة 150 درجة مئوية لثبات أفضل في التشغيل المستمر.

من ناحية التبديل، يتميز بزمن صعود سريع يصل إلى 15 نانوثانية كحد أقصى لرفع الكفاءة وتقليل الفقد عند استخدام دائرة قيادة بوابة مناسبة. وتبلغ شحنة البوابة الكلية 66 نانوكولوم، لذلك يجب مراعاتها عند اختيار درايفر البوابة وتردد التبديل. كما أن سعة الخرج 110 بيكوفاراد تؤثر على الفقد أثناء التبديل والتداخل الكهرومغناطيسي في الدوائر عالية الجهد.

وفي حالة التوصيل، يقدم الموسفت مقاومة توصيل منخفضة حتى 0.22 أوم كحد أقصى لتقليل فقد القدرة أثناء مرور التيار، وهو ما يكون مهمًا جدًا في مسارات التيار الأعلى. كما أن جهد عتبة البوابة يصل إلى 4 فولت كحد أقصى، ويتحمل جهدًا بين البوابة والمصدر حتى 25 فولت.

ملخص المواصفات

  • النوع: موسفت قدرة بقناة إن
  • جهد المصرف إلى المصدر: 600 فولت
  • تيار المصرف: 17 أمبير
  • قدرة التبديد: 140 وات
  • جهد البوابة إلى المصدر: 25 فولت
  • أقصى حرارة للوصلة: 150 درجة مئوية
  • جهد عتبة البوابة: حتى 4 فولت
  • مقاومة التوصيل: حتى 0.22 أوم
  • شحنة البوابة الكلية: 66 نانوكولوم
  • زمن الصعود: حتى 15 نانوثانية
  • سعة الخرج: 110 بيكوفاراد
  • العبوة: دي تو باك

Reviews

  1. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:19″}

  2. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 13:40:00″}

  3. Mazin (#9820) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 13:48:00″}

  4. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_B21NM60N SMD”,”new”:”B21NM60N high-voltage N-channel Power MOSFET”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”

    \r\n

    B21NM60N high-voltage N-channel Power MOSFET<\/h2>\r\n

    \r\n\r\nType Designator: STB21NM60N<\/span>  📄📄 <\/span>\r\n\r\nMarking Code: B21NM60N\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n

    Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 140 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 25 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 17 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n

    Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 66 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 15 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 110 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.22 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: D2PAK<\/a>\r\n\r\n<\/div>\r\n<\/div>\r\n

    STB21NM60N datasheet<\/h2>\r\n

     stb21nm60n-1 stb21nm60n stf21nm60n stp21nm60n stw21nm60n.pdf<\/a> \"pdf_icon\" \r\n\r\n\"STB21NM60N\"<\/a>\r\n\r\nSTP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N-STB21NM60N-1 N-channel 600 V – 0.17 – 17 A TO-220 – TO-220FP – D2PAK – I2PAK – TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 3 2 1 2 1 STB21NM60N 650 V < 0.22 17 A 1 D2PAK TO-220 STB21NM60N-1 650 V < 0.22 17 A TO-220FP STF21NM60N 650 V < 0.22 17 A(1) STP21NM60N 650 V<\/span>\r\n\r\n<\/div>“},”meta:_thumbnail_id”:{“old”:””,”new”:”216082″},”terms:product_cat”:{“old”:[15],”new”:[441]}}},”time”:”2026-02-24 13:48:00″}

  5. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:34:30″}

Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.

Related Products

Products With Similar Tags