Out of stock G80N60UFD 600V 80A IGBT Transistor with Fast Recovery Diode (CO-PAK)

G80N60UFD 600V 80A IGBT Transistor with Fast Recovery Diode (CO-PAK)

110.00 EGP

G80N60UFD is a 600V 80A N-Channel IGBT featuring low switching and conduction losses, with an integrated fast recovery diode in CO-PAK—ideal for motor control and inverter applications.

ترانزستور آي جي بي تي قناة إن بجهد ٦٠٠ فولت وتيار ٨٠ أمبير، يتميز بكفاءة عالية وتبديل سريع مع دايود استرجاع سريع مدمج داخل تغليف سي أو باك، مناسب لدوائر تشغيل المحركات والإنفرترات.

 

SKU T_G80n60UFD SKU SYS X8898 Availability Out of stock
Quantities are confirmed after reviewing your order. Orders are normally prepared and shipped within 3–5 business days. Online availability does not necessarily mean the product is currently available at the branch. تأكيد الكميات بيتم بعد مراجعة الأوردر، وتجهيز وشحن الطلب بيستغرق عادة من 3 إلى 5 أيام عمل. توافر المنتج على الموقع لا يعني بالضرورة توافره داخل الفرع، لذلك اعمل الأوردر مسبقًا لتأكيد الكمية وتجهيزه.
☎ Need help? Call us 0104 453 9059
Add to wishlist
Share
Fast shipping Delivery across Egypt
Flexible payment Cash and online options
Quantity confirmation Confirmed after order review
Technical support Help choosing compatible parts
Tags
600V IGBT 80A IGBT 80N60 CO-PAK Fairchild UFD Series Fast Recovery Diode G80N60UFD High Speed Switching IGBT IGBT Transistor IGBT With FRD Inverter IGBT Low VCE(sat) Motor Control N- Channel IGBT Power Switching Transistor

Description

G80N60UFD 600V 80A IGBT Transistor with Fast Recovery Diode (CO-PAK)

The G80N60UFD is a high-performance N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for demanding power switching applications. Rated at 600V and 80A, it belongs to Fairchild’s UFD series, which is optimized for low conduction losses and reduced switching losses—especially in circuits that require high-speed switching such as motor drives and inverter stages.

A key advantage of the G80N60UFD is the integrated Fast Recovery Diode (FRD) built into the same package (CO-PAK), helping simplify circuit design and improve efficiency in power conversion systems. Its low saturation voltage contributes to higher efficiency and reduced heat generation under load, while the high input impedance enables easier gate drive requirements.

Key Features

  • High-speed switching performance
  • Low saturation voltage: VCE(sat) ≈ 2.1V at IC = 40A
  • Integrated Fast Recovery Diode (FRD) in CO-PAK
  • Fast diode recovery: trr ≈ 50 ns (typical)
  • High input impedance for easier gate drive
  • Optimized for low conduction and switching losses

Typical Applications

  • Motor control and motor drives
  • General-purpose inverters
  • High-voltage power conversion stages
  • Industrial switching and power management

G80N60UFD ترانزستور IGBT ٦٠٠ فولت ٨٠ أمبير مع دايود استرجاع سريع (CO-PAK)

القطعة G80N60UFD هي ترانزستور IGBT قناة إن مخصص لدوائر القدرة التي تتطلب تبديلًا سريعًا وكفاءة عالية. تعمل بجهد حتى ٦٠٠ فولت وتيار يصل إلى ٨٠ أمبير، وتنتمي إلى سلسلة يو اف دي المصممة لتقليل فاقد التوصيل وفاقد التبديل، وهو ما يجعلها مناسبة جدًا لمراحل القدرة في الإنفرترات ودوائر تشغيل المحركات.

من أهم مميزات هذه القطعة وجود دايود استرجاع سريع مدمج داخل نفس التغليف سي أو باك، مما يساعد على تبسيط التصميم وتحسين كفاءة دوائر تحويل القدرة. كما أن انخفاض جهد التشبع يقلل الحرارة الناتجة أثناء التشغيل، بينما تساهم مقاومة الدخل العالية في تسهيل قيادة البوابة داخل الدائرة.

أهم المميزات

  • تبديل سريع مناسب لدوائر القدرة
  • جهد تشبع منخفض حوالي ٢٫١ فولت عند تيار ٤٠ أمبير
  • دايود استرجاع سريع مدمج داخل نفس التغليف
  • زمن استرجاع سريع للدايود حوالي ٥٠ نانوثانية (قيمة نموذجية)
  • مقاومة دخل عالية لتسهيل قيادة البوابة
  • أداء كفء مع فاقد توصيل وتبديل أقل

الاستخدامات الشائعة

  • تشغيل والتحكم في المحركات
  • الإنفرترات العامة
  • مراحل تحويل القدرة بجهد عالي
  • أنظمة القدرة الصناعية وإدارة الطاقة

 

Reviews

  1. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:21″}

  2. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 14:52:17″}

  3. Mazin (#9820) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 18:17:12″}

  4. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_G80n60UFD”,”new”:”G80N60UFD 600V 80A N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”The G80N60UFD is a high-performance 600V, 80A N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with an integrated Fast Recovery Diode (CO-PAK)<\/span>\r\n\r\nG80N60UFD<\/b><\/a>\r\n\r\nGeneral Description<\/span><\/strong>\r\nFairchild’s UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors\r\n(IGBTs) provides low conduction and switching losses.\r\nThe UFD series is designed for applications such as motor\r\ncontrol and general inverters where high speed switching is\r\na required feature.\r\nFeatures\r\n• High speed switching\r\n• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A\r\n• High input impedance\r\n• CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (typ.”},”meta:_thumbnail_id”:{“old”:””,”new”:”216103″}}},”time”:”2026-02-24 18:17:13″}

  5. Mazin (#9820) –

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 18:17:17″}

  6. Mazin (#9820) –

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“terms:product_cat”:{“old”:[15],”new”:[2500]}}},”time”:”2026-02-24 18:17:54″}

  7. Admin1 (#289) –

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:08:18″}

Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.

Related Products

Products With Similar Tags