FQPF4N60 600V N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) – TO-220F

Original price was: 30.00 EGP.Current price is: 20.00 EGP.

FQPF4N60 is a 600V N-Channel power MOSFET in insulated TO-220F package, rated for 2.6A and 36W, with low gate charge (15nC), fast rise time (45ns), and Coss 70pF.

FQPF4N60 موسفت قدرة قناة N بجهد 600 فولت في باكيدج TO-220F المعزول، تيار 2.6 أمبير وقدرة تبديد 36 وات، بشحنة بوابة 15 نانو كولوم وتبديل سريع (45 نانو ثانية) وسعة خرج 70 بيكو فاراد.

SKU T_FQPF4N60 SKU SYS X8892 Availability In stock
Quantities are confirmed after reviewing your order. Orders are normally prepared and shipped within 3–5 business days. Online availability does not necessarily mean the product is currently available at the branch.
تحتاج مساعدة؟ تواصل معنا
Share
Fast shipping Delivery across Egypt
Flexible payment Cash and online options
Quantity confirmation Confirmed after order review
Technical support Help choosing compatible parts

Description

FQPF4N60 600V N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) – TO-220F

The FQPF4N60 is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for stable and efficient switching in power control circuits. With a 600V drain-to-source voltage rating and up to 2.6A drain current, it is commonly used in offline power stages, high-voltage DC switching, and compact SMPS designs where dependable high-voltage performance is required.

This MOSFET supports 36W maximum power dissipation, making it suitable for moderate-power applications when proper heatsinking and PCB copper area are considered. It also features a low total gate charge (Qg = 15nC) which helps reduce gate-drive losses and improves overall switching efficiency. Fast switching behavior is supported by a 45ns rise time, while a low output capacitance (Coss = 70pF) helps minimize switching stress and improves transient response in high-voltage converter designs.

With RDS(on) up to 2.2Ω (maximum), the device provides predictable conduction performance for high-voltage switching tasks. It also supports ±30V gate-source voltage and a 150°C maximum junction temperature, ensuring reliable operation in demanding thermal environments. The device comes in an insulated TO-220F package, offering practical mounting and electrical isolation benefits for power applications.

Key Ratings & Specs

  • MOSFET Type: N-Channel, Enhancement Mode
  • VDS (Max): 600V
  • ID (Max): 2.6A
  • PD (Max): 36W
  • VGS (Max): ±30V
  • Tj (Max): 150°C
  • VGS(th) (Max): 5V
  • Qg: 15nC
  • tr: 45ns
  • Coss: 70pF
  • RDS(on) (Max): 2.2Ω
  • Package: TO-220F

FQPF4N60 موسفت قدرة قناة N – 600 فولت – باكيدج TO-220F (تشغيل بالتعزيز)

يُعد FQPF4N60 ترانزستور MOSFET قدرة قناة N مصمم للعمل بكفاءة داخل دوائر التبديل والتحكم في القدرة ذات الجهد العالي. يتميز بتحمل جهد حتى 600 فولت بين المصرف والمصدر مع تيار مصرف أقصى 2.6 أمبير، مما يجعله مناسبًا لتطبيقات مثل مزودات الطاقة الأوفلاين، دوائر التبديل عالية الجهد، وتصميمات SMPS المدمجة التي تحتاج مكوّنًا يعتمد عليه في تحمل الجهد.

يوفر الموسفت قدرة تبديد قصوى 36 وات (وفق ظروف التبريد والتركيب)، لذلك يناسب تطبيقات القدرة المتوسطة عند استخدام تبريد جيد وتصميم PCB مناسب. كما أن شحنة البوابة المنخفضة (Qg = 15 نانو كولوم) تساعد على تقليل فاقد قيادة البوابة وتحسين كفاءة التبديل. ويدعم أداء تبديل سريع بفضل زمن صعود 45 نانو ثانية، مع سعة خرج منخفضة (Coss = 70 بيكو فاراد) تقلل إجهاد التبديل وتحسن الاستجابة العابرة في دوائر محولات الجهد العالي.

تصل مقاومة التشغيل RDS(on) إلى 2.2 أوم كحد أقصى، لتقديم أداء توصيل متوقع في مهام التبديل عالية الجهد. كما يدعم جهد بوابة حتى ±30 فولت ودرجة حرارة وصلة قصوى 150°م لثبات أعلى في ظروف التشغيل الصعبة. يأتي في باكيدج TO-220F المعزول الذي يوفر ميزة العزل الكهربائي وسهولة التركيب في تطبيقات القدرة.

أهم المواصفات

  • النوع: MOSFET قدرة قناة N – تشغيل بالتعزيز
  • الجهد الأقصى VDS: 600 فولت
  • التيار الأقصى ID: 2.6 أمبير
  • قدرة التبديد PD: 36 وات
  • جهد البوابة VGS: ±30 فولت
  • الحرارة القصوى Tj: 150°م
  • حد جهد تشغيل البوابة VGS(th): حتى 5 فولت
  • شحنة البوابة Qg: 15 نانو كولوم
  • زمن الصعود tr: 45 نانو ثانية
  • سعة الخرج Coss: 70 بيكو فاراد
  • مقاومة التشغيل RDS(on): حتى 2.2 أوم
  • الباكدج: TO-220F

 


Reviews

  1. Admin1 (#289)

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”new”,”to”:”draft”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-17 18:54:19″}

  2. Mazin (#9820)

    {“action”:”view”,”payload”:{“screen”:”edit_product”,”user”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 14:07:45″}

  3. Mazin (#9820)

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”draft”,”to”:”pending”,”by”:”Mazin”},”time”:”2026-02-24 14:09:49″}

  4. Mazin (#9820)

    {“action”:”edit_diff”,”payload”:{“by”:”Mazin”,”diff”:{“core:title”:{“old”:”New Product – T_FQPF4N60″,”new”:”FQPF4N60 600V N-Channel MOSFET”},”core:content”:{“old”:””,”new”:”

    \r\n

    FQPF4N60 600V N-Channel MOSFET<\/h2>\r\n

    \r\n\r\nType Designator: FQPF4N60<\/span>  📄📄 <\/span>\r\n\r\nType of Transistor: MOSFET\r\n\r\nType of Control Channel: N-Channel\r\n

    Absolute Maximum Ratings<\/h3>\r\nPd ⓘ<\/abbr> – Maximum Power Dissipation: 36 W\r\n\r\n|Vds|ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source Voltage: 600 V\r\n\r\n|Vgs|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V\r\n\r\n|Id| ⓘ<\/abbr> – Maximum Drain Current: 2.6 A\r\n\r\nTj ⓘ<\/abbr> – Maximum Junction Temperature: 150 °C\r\n

    Electrical Characteristics<\/h3>\r\n|VGSth|ⓘ<\/abbr> – Maximum Gate-Threshold Voltage: 5 V\r\n\r\nQg ⓘ<\/abbr> – Total Gate Charge: 15 nC\r\n\r\ntr ⓘ<\/abbr> – Rise Time: 45 nS\r\n\r\nCossⓘ<\/abbr> – Output Capacitance: 70 pF\r\n\r\nRDSonⓘ<\/abbr> – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 2.2 Ohm<\/a>\r\n\r\nPackage: TO-220F<\/a>\r\n\r\n<\/div>\r\n<\/div>\r\n

    FQPF4N60 datasheet\r\nfqpf4n60.pdf<\/a> \"pdf_icon\"<\/h2>\r\n

  5. Admin1 (#289)

    {“action”:”status_change”,”payload”:{“from”:”pending”,”to”:”publish”,”by”:”Admin1″},”time”:”2026-02-27 18:36:15″}


Only logged in customers who have purchased this product may leave a review.

Related Products

Products With Similar Tags